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Mosfet的栅极驱动分为高侧驱动和低侧,这个高低是什么意思呢?求详解?

  

Mosfet的栅极驱动分为高侧驱动和低侧,这个高低是什么意思呢?求详解?

  

Mosfet的栅极驱动分为高侧驱动和低侧,这个高低是什么意思呢?求详解?

  

Mosfet的栅极驱动分为高侧驱动和低侧,这个高低是什么意思呢?求详解?

  一般的逆变器、开关电源、电机驱动等应用中都需要2个以上mosfet或者IGBT构成桥式连接,其中靠近电源端的(比如图中红色部分)通常被称为高压侧或上臂、靠近地端的通常被称为低压侧或下臂(比如图中蓝色部分),高低只是针对两者所处位置不同,电压值不一样来区分的。

  如果用驱动单个mosfet的方法去驱动高压侧的功率管,当需要关断下臂的时候,那么基本上臂是无法导通的,所以上臂和下臂的驱动电压值是不一样的,上臂要略高于下臂。

  传统的方法一般是多路电源驱动或者搭建自举升压电路。但是都存在器件过多,可靠性低的问题,而且器件多了以后在高频应用中分布参数、布线、电磁干扰都是问题。所以现在一般都是用专用的驱动芯片去做。比如给你的Datasheet截图中就是使用的型号为IR2130的一个3相6输出的mosfet/IGBT驱动专用芯片。

  如果做设计或者DIY建议使用专用芯片比较好一些

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