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可控硅晶闸管和igbt的区别?可控硅 晶闸管 区别

  区别如下;

  1、名称不同:可控硅晶闸管简称为SCR,IGBT的中文名称为绝缘栅双极型晶体管。

  2、材料不同:IGBT为全控型器件,可控硅为半控型器件。

  3、控制方式不同:可控硅是通过电流来控制,IGBT通过电压来控制。SCR需要电流脉冲驱动开通,一旦开通,通过门极无法关断。

  4、开关频率不同:可控硅的开关时间较长,所以频率不能太高,一般在3-5KHZ左右;IGBT的开关频率较高。IGBT模块可达30KHZ左右,IGBT单管开关频率更高,达50KHZ以上。

  5、市场前景不同:IGBT在逐步替代晶闸管,可控硅晶闸管在市场上的份额越来越少。

  扩展资料

  可控硅晶闸管和IGBT的应用:

  1、IGBT已经广泛应用于家用电器、交通运输、电力工程、可再生能源和智能电网等领域。IGBT是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为国家战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。

  2、可控硅晶闸管被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。

  

可控硅晶闸管和igbt的区别?可控硅 晶闸管 区别

  

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