导通内阻用工具无法测量,但是可以根据以下公式判断:R=U/I。也即,导通时候电流I可以测量,MOS管压降U可以测量(供电电压减去负载电压)。这个方法是我们曾经做电机驱动时候的计算方式,但是,导通内阻跟Vgs有一定关系,也就是说MOS没有完全导通时候内阻会大,毕竟MOS是电压驱动型器件。
另外手册上的Rds(on)基本上就是该元件典型的内阻,只要完全导通,误差不很大。
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导通内阻用工具无法测量,但是可以根据以下公式判断:R=U/I。也即,导通时候电流I可以测量,MOS管压降U可以测量(供电电压减去负载电压)。这个方法是我们曾经做电机驱动时候的计算方式,但是,导通内阻跟Vgs有一定关系,也就是说MOS没有完全导通时候内阻会大,毕竟MOS是电压驱动型器件。
另外手册上的Rds(on)基本上就是该元件典型的内阻,只要完全导通,误差不很大。
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